BSZ097N10NS5ATMA1/TSDSON-8/MOSFET
Ideal para la transferencia de alta frecuencia
Tecnología optimizada para los convertidores de DC/DC
Producto excelente de la RPS de la carga x de la puerta (encendido) (FOM)
Canal N, normallevel
la avalancha 100% probó
galjanoplastia Pb-libre; RoHS obediente
Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
Halógeno-libre según lEC61249-2-21
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Infineon | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 100 V | |
| 40 A | |
| 8,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| 28 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 69 W | |
| Aumento | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 5 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 23 S |
| Altura: | 1,1 milímetros |
| Longitud: | 3,3 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 5 ns |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 5000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 21 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 11 ns |
| Anchura: | 3,3 milímetros |
| Parte # alias: | BSZ097N10NS5 SP001132550 |
| Peso de unidad: | 0,001367 onzas |
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