STB75NF75T4/TO-263-3/semiconductores discretos
Descripción
Esta serie del MOSFET del poder realizó con STMicroelectronics que el proceso único de STripFET™ se ha diseñado específicamente para minimizar capacitancia de la entrada y la carga de la puerta. ¿Es por lo tanto conveniente como interruptor primario en alto avanzado? eficacia, convertidores aislados de alta frecuencia de DC-DC para las aplicaciones informáticas de las telecomunicaciones y. También se piensa para cualquier uso con requisitos bajos de la impulsión de la puerta.
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 75 V | |
| 80 A | |
| 11 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3 V | |
| 160 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| Aumento | |
| STripFET | |
| STB75NF75 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 30 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 20 S |
| Altura: | 4,6 milímetros |
| Longitud: | 10,4 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 100 ns |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 66 ns |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 25 ns |
| Anchura: | 9,35 milímetros |
| Peso de unidad: | 0,139332 onzas |
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