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Circuitos integrados discretos de los dispositivos de semiconductor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF

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Circuitos integrados discretos de los dispositivos de semiconductor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF
Caracteristicas Galería Descripción de producto Pida una cita
Caracteristicas
Especificaciones
Detalles de empaquetado: Estándar/nuevo/original
Parte # alias: SI4943CDY-GE3
Anchura: 3,9 milímetros
Longitud: 4,9 milímetros
Cantidad del paquete de la fábrica: 2500
Altura: 1,75 milímetros
Alta luz:

Dispositivos de semiconductor discretos de SI4943CDY

,

Dispositivos de semiconductor discretos SOIC-8

,

Circuitos integrados de SOIC-8 RF

Información básica
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: Vishay
Número de modelo: SI4943CDY-T1-GE3
Pago y Envío Términos
Tiempo de entrega: En existencia
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Éntrenos en contacto con
Descripción de producto

SI4943CDY-T1-GE3/SOIC-8/semiconductores discretos

 

• Transferencia de la carga - sistemas del juego de ordenador

 

• Transferencia de la batería - Li-ion de 2 células

 

Cualidad de producto Valor del atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-canal
Canal 2
20 V
8 A
mOhms 19,2
- 20 V, + 20 V
3 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3,1 W
Aumento
TrenchFET
SI4
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: Semiconductores de Vishay
Configuración: Dual
Altura: 1,75 milímetros
Longitud: 4,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica: 2500
Subcategoría: MOSFETs
Anchura: 3,9 milímetros
Parte # alias: SI4943CDY-GE3
Peso de unidad: 0,006596 onzas

Circuitos integrados discretos de los dispositivos de semiconductor SI4943CDY-T1-GE3 SOIC-8 RF 0

 

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