SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/semiconductores discretos
Descripción
• Halógeno-libre según la definición del IEC 61249-2-21
• MOSFET del poder de TrenchFET®
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Vishay | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| Canal N | |
| Canal 2 | |
| 30 V | |
| 630 mA | |
| 480 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 1,4 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 300 mW | |
| Aumento | |
| TrenchFET | |
| SI1 | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| MouseReel | |
| Marca: | Semiconductores de Vishay |
| Configuración: | Dual |
| Altura: | 1 milímetro |
| Longitud: | 2,1 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Anchura: | 1,25 milímetros |
| Parte # alias: | SI1900DL-E3 |
| Peso de unidad: | 0,000265 onzas |
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