Límite actual | 405 mA |
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En la resistencia - máxima | 1,2 ohmios |
Voltaje de fuente de funcionamiento | 0 V a 57 V |
Ciclo de trabajo - máximo | el 78% |
Código de fecha | 22+ |
Categoría de producto | Amplificadores del aislamiento |
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Montaje de estilo | SMD/SMT |
Paquete/caso | SON-8 |
Voltaje entrado, minuto | 2,9 V |
Voltaje entrado, máximo | 6 V |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Equipo del desarrollo | TPS53513EVM-587 |
Altura | 1 milímetro |
Longitud | 4,5 milímetros |
Anchura | 3,5 milímetros |
Voltaje entrado | 3 V a 65 V |
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Voltaje de salida | 3 V a 100 V |
Corriente de salida | 20 A |
Frecuencia que cambia | 50 kilociclos a 1 megaciclo |
Código de fecha | 22+ |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Grado del voltaje | 4 VDC a 80 VDC |
Grado actual | 1,2 mA |
Paquete/caso | DFN-12 |
Temperatura de funcionamiento | - ℃ 40 + al ℃ 85 |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente | 50 V |
Identificación - Corriente continua del dren | 160 mA |
Rds en - resistencia de la Dren-fuente | 4 ohmios |
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente | - 12 V, + 12 V |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Paquete/caso | SOIC-8 |
Corriente de salida | 1,5 A |
Voltaje de fuente - máximo | 24 V |
Temperatura de funcionamiento | - 40 ℃ a + 150 ℃ |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Categoría de producto | MOSFET |
Paquete/caso | D2PAK-3 |
Polaridad del transistor | Canal N |
Número de canales | 1 canal |
Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
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Categoría de producto | MOSFET |
Tecnología | Si |
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente | - 20 V, + 20 V |
Temperatura de funcionamiento mínima | - ℃ 55 |
Categoría de producto | MOSFET |
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Tecnología | Si |
Tipo de producto | MOSFET |
Subcategoría | MOSFETs |
Código de fecha | 22+ |