| Disipación de poder | 267 mW |
|---|---|
| Corriente de la fuente - máxima | 92 mA |
| Voltaje de fuente - máximo | 3,6 V |
| Voltaje de fuente - minuto | 3 V |
| Código de fecha | 22+ |
| Voltaje de fuente de funcionamiento | 3,3 V |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento mínima | - 40 C |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 85 C |
| Disipación de poder | 267 mW |
| Código de fecha | 22+ |
| Tecnología | Si |
|---|---|
| Montaje de estilo | SMD/SMT |
| Paquete/caso | VQFN-8 |
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Número de canales | 1 canal |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente | - 20 V, + 20 V |
|---|---|
| Qg - carga de la puerta | 4,3 nC |
| Paladio - disipación de poder | 2,8 W |
| Tiempo de subida | 3 ns |
| Código de fecha | 22+ |
| Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | - ℃ 55 + al ℃ 175 |
| Paladio - disipación de poder | 315 W |
| Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente | 100 V |
| Identificación - Corriente continua del dren | 180A |
| Ciclo vital | Activo |
|---|---|
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente | - 20 V, + 20 V |
| Detalles de empaquetado | Estándar/nuevo/original |
| Ruta de taxonomía | Semiconductor > diodos, transistores y tiristores > transistores del FET > MOSFETs |
| Código de fecha | 21+ |
| MARCADO DE PIEZAS | MBRM140T1G |
|---|---|
| Montaje de estilo | montaje de tornillo |
| Paquete/caso | PowerMITE |
| Configuración | Solo |
| Tecnología | Si |
